Определение затрат, связанных с разработкой БУШ ДГ

Таблица 4. Значения интенсивностей отказов ЭРИ на платах САУ ГТЭС

Тип элемента

Характеристика элемента

Исходные данные

lэ*106, ч-1

Трансформатор

lб*106,ч-1

Кт

Кэ

Кпр

ТПП

Tmax=85oC,tпту£55оС,низковольтный

0.001

1.38

1

1

0.0014

8Т4.720.050

Статический преобразователь

lэ=lэтабл* (Кт(45оС))/(Кт(25оС)) = 0.013*1.38/1.12

0.0160

8Т4.720.051

Статический преобразователь

lэ=lэтабл *(Кт(45оС))/(Кт(25оС)) = 0.013*1.38/1.12

0.0160

8Т4.720.065

Статический преобразователь

lэ=lэтабл *(Кт(45оС))/(Кт(25оС)) = 0.013*1.38/1.12

0.0160

Установочное изделие

ВП1-1В

Предохранитель (вставка)

0.013

2.23

1

1

0.0290

РЭС 47 слаботочный

2п

+85

индуктивная

0.0153

0.42

1

1

0.94

0.1

-

0.0006

РЭС 80 слаботочный

2п

+100

активн.

0.0280

0.26

1

1

0.94

0.1

-

0.0007

РЭН 33 средней мощности

2п

+85

индуктивная

0.092

0.42

1

1

0.94

0.1

-

0.0036

РЭН 34 средней мощности

2п

+85

индуктивная

0.092

0.42

1

1

0.94

0.1

-

0.0036

D13-2B (3B)

Дроссель фильтров

0.0016

0.47

1

1

0.0008

D69-0.005

Дроссель фильтров

Б.с.г. 0.0016

0.47

1

1

0.0008

8Т4.779.053

Дроссель фильтров

0.002

0.47

1

1

0.0009

BDM1-2 (2 полюса)

Микровыключатель движковый; fвкл<102

0.23

0.55

1

1

1

0.5

-

0.0632

КЭМ-2 (бесконтактный)

Магнитоуправляемый контакт; замыкающий тип

0.00036

0.24

1

1

-

0.5

-

0.0001

Тип элемента

Характеристика элемента

Исходные данные

lэ*106, ч-1

Газоразрядный прибор

lх.с.г *106,ч-1

Кэ

Кпр

Р-91 (разрядник)

Нерезонансный, неуправляемый

0.015

1

1

0.0150

2РМДТ27Б19Г5В

+50

1-25

16

Для кабеля 8Т6.644.935

0.0012

0.29

1

1

3.42

0.32

-

0.0004

СНП 58-64/95

+30

1-25

4

Для печатн. монтажа

0.00112

0.88

1

1

1.72

0.32

-

0.0005

Тип элемента микросборка

Примечание

lэ*106, ч-1

АП.008

Исходные данные для расчета приведены в табл.2

0.4532

ТЛ.001

Исходные данные для расчета приведены в табл.2

0.3535

ТЛ.002

Исходные данные для расчета приведены в табл.2

0.3794

УН.005

Исходные данные для расчета приведены в табл.2

0.8574

Перейти на страницу: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20

Другие стьтьи в тему

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...

Расчет супергетеродинного приемника в диапазоне средних волн
Изобретение радиосвязи великим русским ученым А.С. Поповым в 1895 г. одно из величайших открытий науки и техники. В 1864 г. английский физик Максвелл теоретически доказал существование электромагнитных волн, предсказанное еще Фарадеем, а в 1888 г. немецкий ученый Герц эксперимент ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2024 : www.techelements.ru