Определение затрат, связанных с разработкой БУШ ДГ

Таблица 5. Значения интенсивностей отказов ЭРИ в составе микросборок

Таблица 6. Значения интенсивностей отказов импортных изделий, применяемых в ЭЧ САУ ГТЭС

Наименование импортного изделия

Дополнительные сведения

lэ*106, ч-1 импортного изделия

тип отечественного изделия- аналога

исходные данные по расчетуlэ отечественного аналога

Плата 5066 (ЦП)

-

-

6.2

UN10 96-5

-

-

10.0

Плата 5300

-

-

0.8879

Плата 5600

-

-

0.674

Блок питания ZX200

-

-

2.2

Блок питания ZX550

-

-

2.5

Блок питания 5124

-

-

0.8333

Конвертер ADAM4520

-

-

16.9

Преобразователи Gray Hill (типа 73 GITCK, 73GOI420, 70GIDC, 70GODC и т.п.)

-

-

4.0

Кабели VTC-9F, VTC-9M

-

-

4.5

Тактовая кнопка типа SWT

-

-

1.65

Микросхема MAX 232 EPE

H559ИП11(цифровая)

Количество элементов - 353, lб.с.г.=0.017 *10-6 ч-1;Кст=1.52; Кi=1

0.0258

Микросхема MAX 951 EPА

521СА3 (аналоговая)

Данные по расчету приведены в табл.1 (Приложение 1)

0.0366

Микросхема MAX 1480А

Аналоговая (среднегрупповая)

Для аналоговых М/схем lэтабл.=0.023 *10-6 ч-1(при tокр.ср.=+30оС) Для tокр.ср.=+45оС: lэ =lэтабл* Кст(+45оС).=0.023* Кст(+35оС) *10-6 *1.59 = 0.0324 *10-6 1.13

0.0324

Микросхема MAX 1490 BEPG

Аналоговая (среднегрупповая)

Для аналоговых М/схем lэтабл.=0.023* 10-6 ч-1(при tокр.ср.=+30оС) Для tокр.ср.=+45оС: lэ =lэтабл* Кст(+45оС).=0.023* Кст(+30оС) *10-6 *1.59 = 0.0324 *10-6 1.13

0.0324

Микросхема SI 9434 DY

590КН5 (аналоговая)

Данные по расчету приведены в таблице 1 (Приложения 1)

0.0847

Микросхема АТ89С2051-24PI

1806ВМ2(микропроцессор)

Количество элементов - 134636, lб.с.г.=0.017 *10-6 ч-1;Кст=13.65; Ккорп=1; Кv=1; Кис=1; Кэ=1; Кпр=1

0.2320

Резонатор кварцевый 11059 кГц

РК319(4-20 МГц)

lб=0.02 *10-6 ч-1;Кт=1.64; Кэ=1; Кпр=1

0.0328

Резонатор кварцевый 24.0 МГц

РК32(18-30 МГц)

lб=0.034 *10-6 ч-1;Кт=1.47; Кэ=1; Кпр=1

0.05

Оптопреобразователь DEK-OE-24DC

30Т127А, три 2D213A, один светодиод КИПМО1Б

Из таблицы 1 (Приложения 1): lэ”ЗОТ127А”=0.1242 *10-6 ч-1; lэ”КИПМО1Б”=0.0272 *10-6 ч-1; lэ”2D213A”=0.0076 *10-6 ч-1

0.18

Оптопреобразователь DEK-OE-230АC

30Т127А, три 2D213A, один светодиод КИПМО1Б, один резистор, один конденсатор

Из таблицы 1 (Приложения 1): lэ”ЗОТ127А”=0.1242 *10-6 ч-1; lэ”КИПМО1Б”=0.0272 *10-6 ч-1; lэ”2D213A”=0.0076 *10-6 ч-1; lэ”резистор”=0.003 *10-6 ч-1; lэ”конденсатор”=0.006 *10-6 ч-1;

0.19

Оптопреобразователь EMG 17-OV-5DC

-

Полагаем: lэ”EMG”£lэ”DEK-OE-24DC»

0.18

Реле WAGO (типа 286-571, 286-386)

РЭС 80 (два переключающих контакта)

Из таблицы 1 (Приложения 1): lэ =0.0007 *10-6 ч-1;

0.0007

Вставка плавкая SI FORMC Предохранитель VIOK-15; UK5-HESI; UK-6FSI

ВП-1 или ВП-6

lб”ВП-6”=0.03* 10-6 ч-1;Кт=2.23; Кэ=1; Кпр=1

0.067

Чип-конденсатор CO 603 NPO-16B

К10-17…К10-60 (керамические)

lб =0.02 *10-6 ч-1;Кр=0.18; Кэ=1; Кпр=1

Кс=1.2 (6.8нф)

0.0043

Кс=1.6 (22нф; 33нф; 100нф)

0.0058

Кс=2.1 (150нф)

0.0076

Чип-конденсатор танталовый

К52 (объемно пористый танталовый)

lб =0.125 *10-6 ч-1;Кр=0.18; Кэ=1; Кпр=1

Кс=0.5 (1мкф)

0.0112

Кс=0.6 (2мкф)

0.0135

Кс=0.9 (22мкф)

0.0202

Кс=1.3 (68нф)

0.0292

Чип-резистор R/C 1206-0,125

Постоянный непроволочный (среднегрупповой)

lб.с.г. =0.04* 10-6 ч-1;Кр=0.45; Км=0.7; Кэ=1; Кпр=1; Кстаб=1

КR=1.0 (R<1кОм)

0.0158

КR=0.7 (R³1кОм<100кОм)

0.0110

КR=2.0 (R³100кОм<1МОм)

0.0315

Штеккер ST-K4, ST-BE

СР-50 (соединитель радиочастотный)

lб.с.г. =0.012 *10-6 ч-1; tраб=tо.с.+5оС; Кт=1.6; Кэ=1; Кпр=1; Ккк=1.36 (2 контакта); Ккс=0.32 (n=1-25)

0.0084

Источник бесперебойного питания UPS ( составные части UPS: химический источник тока, транзисторные ключи, трансформатор статических преобразователей, выпрямительные диоды)

Отечественные аналоги составных частей UPS: химический источник тока - щелочной аккумулятор типа НКГК-3С; переключающие транзисторы типа 2Т834А (2шт.); трансформатор статических преобразователей типа ТПр13; выпрямительные диоды типа 2D213A (2шт).

lэ”НКГК-3С”=1.9 *10-6 ч-1 [1,т.Ш]; данные по расчету lэ транзистора 2Т834А приведены в табл.1 Приложения 1: lэ =2*lэ”2Т834А”=2*0.0080*10-6 ч-1; математическая модель для расчета lэ трансформаторов: lэ =lб Кт Кэ Кпр, где lб= 0.06 *10-6 ч-1;Кэ=1; Кпр=1; для определения Кт найдена температура перегрева tп=18.49оС, соответствующая коэффициенту нагрузки Кн=0.4 и tпТУ=50оС,и найдена температура максимально нагретой точки обмотки tм=tокр.ср.+tп=63.5оС. Отсюда Кт= 3.65 (для tокр.ср.ТУ=85оС); lэ =0.06*10-6* 3.65*1*1=0.219* *10-6 ч-1; 4)данные по расчету lэ диода 2D213А приведены в табл.1 Приложения 1: lэ =2 lэ”2D213А»= 2* 0.0076 *10-6 = = 0.0152 *10-6 ч-1

2.1502

lSаналога = S li= 1.9 *10-6 + +0.0160 *10-6+ 0.219 *10-6 + +0.0152* 10-6= 2.1502 *10-6 ч-1

Низкочастотные соединители: а) типа IDS, MSTB, MOLEX и т.д.; б) типа DB9F/

a) низкочастотный соединитель для печатного монтажа типа CHП 58;

а) математическая модель для расчета lэ соединителей: lэ =lб *Кр *Ккк *Ккс* Кэ *Кпр, где lб= 0.00112* 10-6 ч-1;Кэ=1; Кпр=1; коэффициент, зависящий от сочленений-расчленений, Ккс=0.32 (для реального применения в диапазоне n=1-25); коэффициент режима выбран равным Кр=0.88 (для температуры перегрева контактов tп£30оС); значение Ккк зависит от количества задействованных контактов (см.ниже):

а) 0.00049-0.00161 ( в зависимости от значения Ккк); б) 0.00069-0.00073 ( в зависимости от значения Ккк)

Кол-во контактов

Ккк

3 4 6 8 10 12 15 16 18 19 20 21 23 24 27

1.55 1.72 2.02 2.3 2.58 2.86 3.28 3.42 3.71 3.86 4.00 4.16 4.47 4.62 5.11

б) Математическая модель прежняя: lб=0.00106 *10-6 ч-1;Кпр=1; Кэ=1; Ккс=0.32; Кр=0.88; Ккк=2.3 (для 8 контактов) и Ккк=2.44 (для 9 контактов)

Кабель “3107 Belden»

-

-

0.45

Сетевой фильтр PILOT

Электрический шнур связи типа ШМП ЭВ

Математическая модель для расчета lэ: lэ =lб *Кt *L *Кэ, где lб= 0.072 *10-6 ч-1;Кэ=1; зависимостью lэ от длины L пренебрегаем, т.к. L<3м; коэффициент Кt=2.7 (для энергии активации Eа=38 кДж/моль).

0.1944

Перейти на страницу: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21

Другие стьтьи в тему

Разработка управляемого контролера на базе микропроцессорного комплекта серии КР580
Если всего лишь несколько десятков лет назад свойствами программируемости характеризовались только крупные блоки и узлы управляющих систем, то в настоящее время этими свойствами характеризуется интегральная база (микропроцессор, однокристальная микро-ЭВМ), что и обеспечивает ее широки ...

Разработка автоматизированной системы управления газоперекачивающим агрегатом Сургутского месторождения
Развитие газовой и ряда смежных отраслей промышленности сегодня в значительной степени зависит от дальнейшего совершенствования эксплуатации и обслуживания систем трубопроводного транспорта природных газов из отдаленных и порой слабо освоенных регионов в промышленные и центральные рай ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2018 : www.techelements.ru