Определение затрат, связанных с разработкой БУШ ДГ

Таблица 2. Значения интенсивностей отказов полупроводниковых ЭРИ на платах САУ ГТЭС

Тип элемента

Характеристика элемента

Исходные данные

lэ*106, ч-1

 

Полупроводник

подгруппа

Uраб,В

режим работы

lб*106,ч-1

Кр

Кэ

Кпр

Кф

Кs1

Кдн

 

2Д206А диод

Кремниев

S1< 60%

выпрямитель

0.06

0.0958

1

1

1.5

0.7

1.0

0.0060

2Д212А диод

Кремниев

переключатель

0.28

0.0958

1

1

0.6

0.7

0.6

0.0068

2Д213А диод

Кремниев

переключатель

0.19

0.0958

1

1

0.6

0.7

1.0

0.0076

КД226В диод

Кремниев (импул)

27

переключатель

0.09

0.0948

1

1

0.6

0.7

0.8

0.0029

2Д510А диод

Кремниев (импул)

Переключатель Аналог. выпрямитель

0.016

0.0958

1

1

0.6

0.7

0.6

0.0004

 

1.0

0.0006

 

1.5

0.0010

 

2С108А стабилитрон

0.003

0.2899

1

1

-

-

-

0.0009

 

2С133В стабилитрон

0.012

0.2899

1

1

-

-

-

0.0035

 

2С175Ж стабилитрон

0.0032

0.2899

1

1

-

-

-

0.0009

 

2С527А стабилитрон

0.0026

0.2899

1

1

-

-

-

0.0008

 

2С530А стабилитрон

0.0026

0.2899

1

1

-

-

-

0.0008

 

2С551А стабилитрон

0.0026

0.2899

1

1

-

-

-

0.0008

 

Д818Г стабилитрон

0.0019

0.2899

1

1

-

-

-

0.0006

 

2Т504А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

1.0

0.0032

 

2Т505А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

0.8

0.0026

 

2Т630А транзистор

Биполярный кремниев

Аналог.

0.17

0.1902

1

1

1.5

0.5

0.5

0.0122

 

2Т653А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

0.8

0.0026

 

2Т827А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

2.5

0.0080

 

2Т834А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

2.5

0.0080

 

2Т842А транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

1.3

0.0042

 

2Т862Г транзистор

Биполярный кремниев

переключатель

0.048

0.1902

1

1

0.7

0.5

1.3

0.0042

 

2Т3117А транзистор

Биполярный кремниев (свч)

переключатель

0.074

0.3129

1

1

0.7

0.5

0.5

0.0040

 

2ТС622А сборка транзистор

кремниев

переключатель

0.2

0.1902

1

1

0.7

0.5

5.0

0.0666

 

КИП МО1Б светодиод

импульс

0.1

0.272

1

1

-

-

-

0.0272

 

3Л341Г индикатор

Без встроенного управления

Непрер.

0.05

0.566

1

1

-

-

-

0.0283

 

3Л341К индикатор

Непрер.

0.05

0.43

1

1

-

-

-

0.0215

 

ТЛО-1-16 оптопара

Аналог (АЛ107А,Б)

Непрер.

0.1

0.471

1

1

-

-

-

0.0471

 

3ОТ 127А оптопара

транзисторный

Непрер.

0.23

0.54

1

1

-

-

-

0.1242

 
Перейти на страницу: 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18

Другие стьтьи в тему

Разработка регулятора для системы автоматического управления
Управление каким-либо объектом - это процесс воздействия на него с целью обеспечения требуемого течения процессов в объекте или требуемого изменения его состояния. Основой управления является переработка информации о состоянии объекта в соответствии с целью управления. Объект упр ...

Радиопередатчик подвижной связи с угловой модуляцией
Формирование радиочастотных сигналов, имеющих заданные временные, спектральные и энергетические характеристики, их последующая передача по специальным направляющим электромагнитным системам или через свободное пространство к потребителю осуществляется с помощью радиопередающего ...

Разделы

Радиоэлектроника и телекоммуникации © 2018 : www.techelements.ru