Расчет и моделирование усилительного каскада на биполярном транзисторе

Цель работы: расчёт и компьютерное моделирование усилителя на примере усилительного каскада на биполярном транзисторе в схеме включения с общим эмиттером, получение навыков в выборе параметров, соответствующих максимальному использованию транзистора, а также приобретение навыков компьютерного моделирования электрических схем в пакете схемотехнического моделирования Micro-Cap.

Электрическая схема каскада рисунок 2.1.1

Рисунок 2.1.1 Электрическая схема каскада

Параметры идеализированного транзистора, схемы и режима работы транзистора таблица 2.2.1

Таблица 2.2.1

β0	Rтр Ом	rнас Ом	Iоб мкА	Eк В	εi	RЭ1 Ом	RЭ2 Ом	RК кОм	∆T град	fmin Гц
500	2600	80	10	15	0,6	18	470	1,6	±40	100

Выберем из библиотеки пакета Micro-CAP транзистор 2Т3102Е с наиболее подходящим к заданному значением rЭ = 0 Ом, rб = 0 Ом. Начальные параметры режима работы транзистора и каскада возьмём из таблицы.

усилительный каскад транзистор схема

Получим входные и выходные характеристики выбранного транзистора и по ним определим некоторые его параметры.

Рисунок 3.1 Схема для снятия входных характеристик

Рисунок 3.2 Входные характеристики транзистора

По входным характеристикам определяем U0бэ = 576мВ.

Рисунок 3.3 Схема для снятия выходных характеристик транзистора

Рисунок 3.4 Выходные характеристики транзистора

• Расчет параметров каскада по постоянному току
• Расчёт режима по переменному току
• Расчет обобщенных параметров усилительного каскада
• Расчет конденсаторов
• Проверка режима на насыщение и отсечку
• Моделирование усилительного каскада с помощью пакета MicroCap
• Проверка режима по постоянному току
• Проверка нестабильности
• Графики сигналов на входе и выходе каскада и спектральная диаграмма выходного сигнала
• Амплитудно-частотные характеристики усилителя
• Определение сопротивлений и влияние на них емкостей

Другие стьтьи в тему

Разработка и обеспечение надежности систем автоматического управления
К современной радиоэлектронной аппаратуре предъявляются многогранные технические требования. Поэтому для реализации сложных систем автоматического управления (САУ) необходимо применять десятки и сотни тысяч различных элементов. Сложность аппаратуры отрицательно сказывается на её надёж ...

Разработка и изготовление лабораторного стенда по изучению вольтамперных характеристик полупроводниковых диодов
Целью данной работы является разработка и создание прибора, предназначенного для изучения полупроводниковых диодов. Для исследования нами был выбран полупроводниковый диод, который наиболее характерно отражает почти все особенности и свойства полупроводниковой техники в целом и являе ...